Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Středoevropský technologický institut. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce
Autoři	MEDUŇA Mojmír RŮŽIČKA Jiří CAHA Ondřej BURŠÍK Jiří SVOBODA Milan
Rok publikování	2012
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physica B condensed matter
Fakulta / Pracoviště MU	Středoevropský technologický institut
Citace
www	pdf
Doi	http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	silicon; interstitial oxygen; precipitation
Popis	Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích CEITEC - středoevropský technologický institut Research4Industry - Budování a rozvoj vědecko-výzkumné spolupráce s výzkumnými a průmyslovými partnery