Space-filling arrays of three-dimensional epitaxial Ge and Si1-xGex crystals

• Název česky: Prostor vypňující pole třídimenzionálních epitaxních Ge a Si1-xGex krystalů
• Autoři: FALUB C.V.; ISA F.; KREILIGER T.; BERGAMASCHINI R.; MARZEGALLI A.; TABOADA A.G.; CHRASTINA D.; ISELLA G.; MÜLLER E.; NIEDERMANN P.; DOMMANN A.; NEELS A.; PEZOUS A.; MEDUŇA Mojmír; MIGLIO L.; VON KÄNEL Hans
• Rok publikování: 2012
• Druh: Článek ve sborníku
• Konference: 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1109/ISTDM.2012.6222457
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: silicon; heteroepitaxy; x-ray diffraction
• Popis: Krystalová kvalita, sklon a deformace Ge a Si1-xGex krystalů byla studována pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• CEITEC - středoevropský technologický institut