Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	SCHÄFER Jan HNILICA Jaroslav ŠPERKA Jiří QUADE Antje KUDRLE Vít FOEST Rüdiger VODÁK Jiří ZAJÍČKOVÁ Lenka
Rok publikování	2016
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Surface and Coatings Technology
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Doi	http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047
Obor	Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Klíčová slova	Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide
Přiložené soubory	1-s2.0-S0257897215302851-main.pdf
Popis	We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy CEITEC - středoevropský technologický institut Research center of surface treatment Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy