GROWTH OF SILICON NANOWIRES BY THERMAL ANNEALING OF THICK GOLD CATALYTIC LAYER ON SILICON SUBSTRATE UNDER DIFFERENT ATMOSPHERES

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Růst křemíkových nanodrátků termickým žíháním katalytické vrstvy zlata v různých atmosférách
Autoři	ŠPERKA Jiří JAŠEK Ondřej ZAJÍČKOVÁ Lenka HAVEL Josef
Rok publikování	2015
Druh	Článek ve sborníku
Konference	NANOCON 2015: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	konferenční stránka
Obor	Teoretická fyzika
Klíčová slova	Nanowires; Silicon; Gold; Eutectics; Surface processes
Popis	Křemíkové nanodrátky rostly na Si substrátu termíckým žíháním katalytické vrstvy zlata. 100 nm tlustá vrstva zlata na Si připravená magnetronovým naprašováním byla žíhána za teploty 1000 C po dobu 60 minut v argonové a vodíkové atmosféře při tlaku 8 kPa. Bylo zjištěno, že ve vodíkové atmosféře lze pozorovat růst nanodrátků zatímco v argonů byl růst jen sporadický. Morfologie a složení vrstvy bylo zkoumáno metodami AFM a LDI TOF spektrospkopií. Struktura nanodrátků byla zkoumána pomocí metod SEM a EDX spektroskopií.
Související projekty:	CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy CEITEC - středoevropský technologický institut