The role of microwave plasma temperature during graphene nanosheets deposition on dielectric substrate: Modelling and experiment
| Název česky | Role teploty mikrovlnného plazmatu během depozice grafenu na dielektrický substrát: Modelování a experiment |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2020 |
| Druh | Článek ve sborníku |
| Konference | NANOCON Conference Proceedings - International Conference on Nanomaterials |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | Web konference |
| Doi | http://dx.doi.org/10.37904/nanocon.2019.8455 |
| Klíčová slova | Graphene; microwave plasma; temperature; dielectric substrate |
| Přiložené soubory | |
| Popis | Vztah mezi teplotou plazmy a vlastnostmi vrstvy naneseného grafenu nanesené na Si / SiO2 substrát rozkladem ethanolu ve výboji mikrovlnného plazmového hořáku za atmosférického tlaku byl zkoumány v závislosti na dodaném mikrovlnném výkonu a rychlostech toku plynu. Bylo provedeno plazmové modelování ven pomocí softwaru COMSOL Multiphysics s dodaným mikrovlnným výkonem, průtoky plynu a experimentální geometrie reaktoru jako vstupní parametry. Byly porovnány výsledky modelování toku tepla a dynamiky tekutin s teplotou substrátu měřenou termočlánkem integrovaným do držáku substrátu z křemenné trubice. The vrstva grafenových nanočástic byla charakterizována metodou SEM, Ramanovou spektroskopií a 4bodovou sondovou metodou. The vrstvy byly silné několik desítek mikrometrů a jejich listový odpor se pohyboval od 2 do 40 kiloohm/m2. Vlastnosti jednotlivé grafenové nanosheety, poměr 2D/G a D/G Ramanova pásma, stejně jako jejich listová rezistence vodivé sítě korelovaly se zvýšením teploty plazmy se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem. Teplota substrátu se lineárně zvyšovala s dodaným mikrovlnným výkonem a odporem vrstvy klesala se zvyšujícím se mikrovlnným výkonem a nasycená při 2 kiloohm/sq a D/G poměr 0,6. |
| Související projekty: |