Strain relaxation and surface morphology of compositionally graded Si/SiGe buffers

• Autoři: LI J.H.; SPRINGHOLZ G.; STANGL G.; SEYRINGER H.; HOLÝ Václav; SCHAFFLER F.; BAUER G.
• Rok publikování: 1998
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: J. Vac. Sci & Technol.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur