Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Studium třídimnzionálního krystalu Ge/Si ostrůvků RTG difrakcí
Autoři	NOVÁK Jiří HOLÝ Václav STANGL Julian FROMHERZ Thomas ZHENYANG Zhong GANG Chen BAUER Günther STRUTH Bernd
Rok publikování	2005
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of Applied Physics
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://link.aip.org/link/?JAP/98/073517/1
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	ASSEMBLED GE ISLANDS; QUANTUM DOTS; STRAIN; NANOSTRUCTURES; STACKING; X-RAY DIFFRACTION
Popis	V článku je prezentována analýza experimentálních dat z měření na tří dimenzionálním krystalu Ge/Si(001) ostrůvků ve vysokoúhlé RTG difrakci. Prokázali jsme, že kombinace analytického řešení rovnic rovnováhy lineární elasticity a teorie kinematického rozptylu mohou být úspěšně použity k simulaci dat z RTG difrakce. Byly získány strukturní vlastnosti Ge ostrůvků, deformace krystalografické mřížky v ostrůvcích a okolní Si matici. Ukázalo se, že po zarostení do Si matice klesla koncentrace Ge v ostrůvcích na 40%, jejich tvar se však výrazně nezměnil.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur