Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek
Autoři	MIKULÍK Petr LÜBBERT D. PERNOT P. HELFEN L. BAUMBACH T.
Rok publikování	2006
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Applied Surface Science
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	http://www.sci.muni.cz/~mikulik/Publications.html#MikulikLubbertPernotHB-ASS-2006
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	X-ray diffraction; X-ray topography; Microdiffraction; Crystal growth; Microstructure; GaAs; GaN
Popis	Zobrazení rocking křivek (rocking curve imaging) je založeno na měření série digitálních topogramů v Braggovově uspořádání na odraz s paralelním synchrotronovým svazkem. Metoda umožňuj určit lokální rozorientování krystalové mříže na velké ploše vzorku s velkým úhlovým a laterálním rozlišením. V tomto článk aplikujeme metodu na studium lokálního náklonu mřížky ve dvou různých polovodičových vzorcích s rozorientacemi až do 0.5 deg a s laterálním rozlišením od 30 um do 1 um. Studovali jsme mikrokrystaly ve vzorcích, kterými byly GaAs desky a ELO vzorky GaN.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur