In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	In-situ studie Si a Ge interdifuse v SiGe multivrstvách bohatých na Ge za použití rtg rozptylu
Autoři	MEDUŇA Mojmír NOVÁK Jiří BAUER Günther HOLÝ Václav FALUB Claudiu TSUJINO Soichiro GRÜTZMACHER Detlev
Rok publikování	2007
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Semicond. Sci. Technol.
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity
Popis	Z časového vývoje dat rtg reflexe a difrakce při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že aktivační energie resp. difúzní prefaktor závisí na koncentraci Ge lineárně resp. exponenciálně.
Související projekty:	Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur