Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI
Autoři | |
---|---|
Rok publikování | 2014 |
Druh | Výsledky s právní ochranou |
Fakulta / Pracoviště MU | |
www | http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0027/uv027013.pdf |
Popis | Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač. |
Související projekty: |