Informace o projektu
Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace (ONSEMI)

Informace

Projekt nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka projektu je na webu muni.cz.

Kód projektu

TA01010078

Období řešení

1/2011 - 12/2013

Investor / Programový rámec / typ projektu

Technologická agentura ČR

ALFA

Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Spolupracující organizace

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Práce na projektu budou vedeny ve dvou navzájem provázaných liniích:
(i)Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI.
(2) Aplikovaný výzkum a vývoj nových metod charakterizace objemových i povrchových vlastností polovodičových materiálů a struktur, zejména použití infračervených kamer pro měření kvality bondingu, komplexní metrologie struktury SOI, měření doby života minoritních nositelů náboje.

Publikace

Počet publikací: 3

2014

Zařízení pro měření rekombinačních procesů v epitaxních vrstvách křemíku

BOČÁNEK Luděk HUMLÍČEK Josef

Výsledky s právní ochranou

Rok: 2014
Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI

MÜNZ Filip HUMLÍČEK Josef

Výsledky s právní ochranou

Rok: 2014

2013

Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B

CAHA Ondřej KOSTELNÍK P. ŠIK Jan KIM Y.D. HUMLÍČEK Josef

Článek v odborném periodiku

Applied Physics Letters, rok: 2013, ročník: 103, vydání: 20, DOI