WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	PHAM Sy Nguyen NGUYEN Hoa Hong
Rok publikování	2024
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Applied Physics A
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
www	https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-024-08038-w
Doi	http://dx.doi.org/10.1007/s00339-024-08038-w
Klíčová slova	Magnetic semiconductors; Room temperature ferromagnetism; Oxide thin films; Defects; Oxygen vacancies
Popis	Well-defined ferromagnetism (FM) with a very high Tc of about 800 K was found in laser-ablated WO3 films grown on Si wafer substrates. It seems that the observed magnetism is surface related, and oxygen vacancies might play an important role in inducing FM into these oxide semiconductors. The very high Tc FM is observed for the first time in nanosized-WO3, indicating a great potential for spintronic applications.
Související projekty:	Původ feromagnetismu při pokojové teplotě v tenkých vrstvách nedopovaných polovodičových oxidů typu d0