Interdiffusion in amorphous Nb/Si multilayers

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	BOCHNÍČEK Zdeněk VÁVRA Ivo
Rok publikování	2000
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Materials Letters
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Nb/Si multilayer; Interdiffusion; Thermal stability
Popis	The interdiffusion in amorphous Nb/Si multilayers has been studied using x-ray optical reflection and TEM in temperature range from 150degC up to 350degC. In the whole temperature scale the experimental data show that annealing causes interface shift without any other detectable change of multilayer parameters, namely period and interface roughness. The model based on diffusion of Si into Nb has been proposed which fits very well Arrhenius relation for diffusion coefficient and provides values comparable with previously published ones.
Související projekty:	Laboratoř tenkých vrstev a nanostruktur Sledování teplotní stability vrstevnatých systémů vysokorozlišujícími metodami rtg difrakce a optické reflexe rtg záření při žíhání in situ