In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	ZHUANG Y. PIETSCH U. STANGL J. HOLÝ Václav DAROWSKI N. GRENZER J. ZERLAUTH S. SCHÄFFLER F. BAUER G.
Rok publikování	2000
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physica B
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
Popis	In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
Související projekty:	Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur