Grazing incidence small-angle x-ray scattering study of self-organized SiGe wires

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	HOLY V. ROCH T. STANGL J. BAUER G.
Rok publikování	2001
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Phys. Rev. B
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	KINETIC GROWTH INSTABILITIES; VICINAL SI(001) SURFACES; STEPPED INTERFACES; GE ISLANDS; MULTILAYERS; DIFFRACTION; SI(113); STRAIN
Popis	The structure of self-organized quantum wires buried at the interfaces of a SiGe/Si multilayer is investigated by grazing incidence small-angle x-ray scattering. A nearly periodic distribution of wires, well described by a short-range ordering model, gives rise to intensity satellite maxima in reciprocal space. The shape of the wire cross section is determined from the heights of these intensity maxima, and the analysis reveals that the conventional step-bunching model is not sufficient to explain the wire shape.
Související projekty:	Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek