Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	HESSE Anke STANGL Julian HOLÝ Václav
Rok publikování	2002
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physical Review B
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Effect of overgrowth on shape; composition; and strain of SiGe islands on Si(001)
Popis	Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)
Související projekty:	Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur