Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Studium žíhání multivrstev SiGe/Si s vysokým obsahem Ge
Autoři	MEDUŇA Mojmír NOVÁK Jiří HOLÝ Václav BAUER Günther FALUB Claudiu TSUJINO Soichiro MÜLLER Elisabeth GRÜTZMACHER Detlev CAMPIDELLI Yves KERMARREC Olivier BENSAHEL Daniel
Rok publikování	2004
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Zeitschrift fur Kristalographie
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Reflectivity; X-ray diffraction; Annealing; Diffusion; Si/SiGe multiple quantum wells
Popis	Byla studována teplotní stbilita multivrstev SiGe/Si (80% Ge) metodou rtg reflexe během žíhání in-situ při teplotě 810C.
Související projekty:	Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur