Structural studies of strain-symmetrised Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Strukturní studie napěťově symetrizovaných Si/SiGe struktur pěstovaných molekulární svazkovou epitaxí
Autoři	FALUB Claudiu MEDUŇA Mojmír MÜLLER Elisabeth TSUJINO Soichiro BORAK Alex SIGG Hans GRÜTZMACHER Detlev FROMHERZ Thomas BAUER Günther
Rok publikování	2005
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Journal of crystal growth
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	High-resolution X-ray diffraction; Multiple quantumwell structures; Molecular beamepitaxy; Si/SiGe
Popis	V publikaci jsou prezentovány výsledky nízkoteplotního růstu (300 C) pomocí molekulární svazkové epitaxe struktur Si/SiGe s mnohonásobnými modulačně dopovanými kvantovými jámami s vysokým obsahem Ge na Si0.5Ge0.5 pseudosubstrátech. Experimenty rtg reflexe a difrakce s vysokým rozlišením byly provedeny na synchrotrony SLS. Také analýza pomocí transmisní elektronové mikroskopie ukazuje dobrou regulaci růstových parametrů a drsnosti rozhraní < 0.4 nm.
Související projekty:	Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu