Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Název česky	Analýza kinetiky nukleace vakancí a intersticiálů v Si deskách během rychlého teplotního žíhání
Autoři	KUBĚNA Josef KUBĚNA Alan CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír
Rok publikování	2009
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	J.Phys.: Condens. Matter
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	Silicon; vacancies; Interstitials; nucleation
Popis	V této publikaci je studována kinetika procesů vakancí a self-intersticiálů v Si deskaách. Detailní vhled do procesu nukleace, out difuze a rekombinace vakancí a intersticiálů během procesu RTA vede k novému modelu interakce mezi vakancemi a kyslíkem.
Související projekty:	Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku