Přejít k obsahu | Přejít k hlavnímu menu | Přejít k vyhledávání

Informace o projektu
Kvantové tečky v polovodičích III-V

Informace

Projekt nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka projektu je na webu muni.cz.
Logo poskytovatele
Kód projektu
GA202/99/1613
Období řešení
1/1999 - 1/2001
Investor / Programový rámec / typ projektu
Grantová agentura ČR
  • Standardní projekty
Fakulta / Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta
Spolupracující organizace
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
  • Odpovědná osoba prof. Ing. Eduard Hulicius, CSc.

Studium růstu a vlastností kvantových teček ("Quantum Dots" - QD) v polovodičových sloučeninách typu III-V, zejména InAs/GaAs. Příprava relativně velkého objemu materiálu obsahujícího QD metodou plynné epitaxe z organokovových sloučenin (MOVPE), s využitím Stranského-Krastanowova mechanismu růstu. Ovlivnění růstu QD typem a volbou orientace, případně rozorientace, substrátu. Pokusy o růst QD na bázi GaSb a legování systému InAs/GaAs křemíkem. Srovnání struktur vypěstovaných metodou MOVPE se vzorky deponovanými epitaxí z molekulárních svazků (MBE). Strukturní a jiné fyzikální vlastnosti vzorků QD pomocí rentgenového rozptylu, optických metod (luminiscence, reflektivita a elipsometrie), Ramanovy spektroskopie, magnetotransportu a rastrovacích mikroskopických technik. Srovnání luminiscenčních a absorpčních mechanismů v optické odezvě, v korelaci se strukturními a transportními vlastnostmi. Ovlivnění lokalizovaných elektronových stavů v QD přítomností dopantů v okolní matrici.

Publikace

Počet publikací: 3

2002

2000

1999

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info