Polarization anisotropy of photoluminescence from multilayer InAs/GaAs quantum dots

Varování

Publikace nespadá pod Ústav výpočetní techniky, ale pod Přírodovědeckou fakultu. Oficiální stránka publikace je na webu muni.cz.

Autoři	HUMLÍČEK Josef OSWALD Jiří MUNZAR Dominik PANGRÁC Jiří NAVRÁTIL Karel HULICIUS Eduard LORENC Michal
Rok publikování	2002
Druh	Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj	Physica E
Fakulta / Pracoviště MU	Přírodovědecká fakulta
Citace
Obor	Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova	self-assembled quantum dots; photoluminescence; polarization anisotropy
Popis	We present results of our study of photoluminescence (PL) from multilayer InAs/GaAs quantum dot structures grown by metal organic vapor-phase epitaxy and discuss them in terms of the envelope function approximation. The intensity of the component of the PL signal polarized in the plane parallel to the substrate is substantially higher than that corresponding to the perpendicular polarization. In addition, the former depends on the angle between the electric vector and the direction of elongation of the dots.
Související projekty:	Kvantové tečky v polovodičích III-V Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur